III»
Раздел 4
«ПН
Б Ы Т О В А Я РфДМОЩЩрк^рЩНШМ''
А.ПЕТРОВ.
АЗБУКА
ТРАНЗИСТОРНОЙ
СХЕМОТЕХНИКИ
(Продолжение. Начало в NN 4—9/94).
9. ОДНОПЕРЕХОДНЫЙ
ТРАНЗИСТОР
Помимо биполярных и полевых транзи-
сторов существует так называемый однопе-
реходный транзистор (ОПТ), представляю-
щий собой кристалл полупроводника, в ко-
тором создан р-п-переход, называемый ин-
жектором (рис. 187). Этим переходом кри-
сталл полупроводника разделяется как бы
на две области базы. Поэтому однопереход-
ный транзистор имеет и другое широко рас-
пространенное название — двухбазовый ди-
од. Принцип действия транзистора основан
на изменении объемного сопротивления по-
лупроводника базы при инжекции. В отли-
чие от биполярных и полевых транзисторов
ОПТ представляет собой прибор с отрица-
тельным сопротивлением. Это означает, что
в определенных условиях входное напряже-
ние или сигнал могут уменьшаться даже при
возрастании выходного тока через нагрузку.
Когда ОПТ находится во включенном состо-
янии, выключить его можно только разо-
мкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
Участок между базами образован кремни-
евой пластиной п-типа и имеет линейную
вольтамперную характеристику, т.е. ток че-
рез этот участок прямо пропорционален
приложенному межбазовому напряжению.
При отсутствии напряжения на эмиттере
(относительно Б1) за счет проходящего тока
12 в базе 1 внутри кристалла создается паде-
ние напряжения и„в, запирающее р-п-пере-
ход. При подаче на вход небольшого напря-
жения 11вн 5 11вв величина тока, проходяще-
го через переход, почти не изменяется. При
и Вх>ивн переход смещается в прямом на-
правлении и начинается инжекция носите-
лей заряда (дырок) в базы, приводящая к
снижению их сопротивления. При этом
уменьшается падение напряжения и Вв, что
приводит к лавинообразному отпиранию пе-
рехода — участок II на вольт-амперной ха-
рактеристике (рис. 188). Участок III, справа
от минимума, где эмиттерный ток ограничи-
вается только сопротивлением насыщения,
называется областью насыщ ения. При
уменьшении эмиттерного напряжения до
ивх<11вн переход закрывается. При нулевом
токе базы 2 (т.е. вывод Б2 не используется)
характеристика (кривая 2) представляет со-
бой по существу характеристику обычного
кремниевого диода.
Однопереходные транзисторы применя-
ются в различных схемах генераторов ре-
лаксационных колебаний, мультивибрато-
рах, счетчиках импульсов, триггерных схе-
мах управления тиристорами, генераторах
пилообразного напряжения, делителях, ре-
ле времени, схемах фазового управления и
др. Однако из-за малой скорости переклю-
чения и сравнительно большой потребляе-
1 4
Радиолюбитель 10/94
1
Б2.
о
и,
Р $ 1 .
р и с
4
( 5 2
2 5 8
^
— >
предыдущая страница 15 Радиолюбитель 1994-10 читать онлайн следующая страница 17 Радиолюбитель 1994-10 читать онлайн Домой Выключить/включить текст