2000
ш и
СПРАВОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ
С.ЧЕБОТКОВ,
г.Минск, ГП “Завод Транзистор”,
тел. (017) 277-59-32.
ОЩНЫЕ
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ
КП750 — кремниевые эпитаксиаль-
но-планарные полевые транзисторы с
изолированным затвором и обогаще-
нием Ы-канала. Предназначены для ис-
пользования в источниках вторичного
электропитания с бестрансформатор-
ным входом, в регуляторах, стабили-
заторах и преобразователях с непре-
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметр
Обозначение
Единица
измерения
Предельные значения
А
Б
В
Г
Напряжение сток-исток
^си тах
в
200
150
200
200
Напряжение затвор-исток
^эи тах
в
±20
±20
±20
±20
Постоянный ток стока (Тк = 25°С)
^ тах
А
18
18
16
18
Постоянный ток стока (Тк = 100°С)
тах
А
11
11
10
11
Импульсный ток стока
Ьи тах
А
72
72
64
72
Рассеиваемая моиность
р
тах
Вт
125
125
125
125
Температура перехода
"^"пер
°С
150
150
150
150
рывным импульсным управлением,
блоках питания ЭВМ и в другой радио-
электронной аппаратуре.
Зарубежные аналоги — 1ЯР640,
1(^641, 11^642, 1т_640.
Изготавливаются в корпусе КТ-28
(ТО-220) в соответствии с технически-
ми условиями АДБК 432140.685 ТУ.
По вопросам применения и при-
обретения транзисторов обра-
щаться к автору.
КОРПУС: КТ-28
(ТО-220)
12 3
1. Затвор
2. Сток
3. Исток
Основные электрические параметры (Тк = 25°С)
Параметр
Обозначение
Единица
измерения
Режимы измерения
М!п
Мах
Пороговое напряжение
^зи пор
В
1с = 0 ,2 5 м А ,и эи= и си
КП750А.
..В
2,0
4,0
КП750Г
1,0
2,0
Ток стока
А
^<300 мкс, О>50
КП750А, Б
иси = 4 ,0 В .и зи = 10В ,
18,0
КП750В
иси = 4 ,4 В ,и зи= 1 0 В ,
16,0
КП750Г
иси = 4,0В , изи = 5В ,
18,0
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
«си отк
Ом
^<300 мкс, О>50
КП750А, Б
'с = И А, изи= 10 В
0,18
КП750В
!с = 11 А. изи= 10 В
0,22
КП750Г
1 = 11 А, изи= 5 В
0,18
Остаточный ток стока
ост
мкА
^си “ ^си тах
250
Ток утечки затвора
'тут
нА
^<300 мкс, О>50
^си “
^зи ” ^зи тах
-100
+100
Крутизна ВАХ
Б
А/В
1„<300 мкс, О>50
КП750А.
..В
Оси = 25 В, 1с = 11 А
6,7
КП750Г
иси = 25 В, 1с = 11 А
7.5
Время вклочения/выключения
^ВКП^ВЫКЛ
НС
^<300 мкс, О>50,
иси = 1 0 0 В ,1 с = 1 стах.
Л, = 9,1 Ом,
= 5,4 Ом
65/80
Тепловое сопроивпение переход-корпус
°С/Вт
I
1,0
Тепловое сопроивление переход-среда
«1 п-с
°С/Вт
62
Емкость входная/выходная
С 11»/С22и
пФ
изи = 0, иси = 25 В, Г = 1 МГц
КП750А, Б, В
1800/600
КП750Г
2450/600
Емкость проходная
С 12и
пФ
иэи = 0 .и си = 2 5 В ,Г = 1 МГц
КП750А,Б,В
180
КП750Г
180
Прямое напряжение встроенного диода
и лр
В
КП 750А ,Б ,Г
изи
=
0,
ІС =
18 А
2,0
КП750В
изи = 0, Ю = 16 А
1.9
10/2000
предыдущая страница 42 Радиолюбитель 2000-10 читать онлайн следующая страница 44 Радиолюбитель 2000-10 читать онлайн Домой Выключить/включить текст