МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ
Ком анда загруж ается только пер ед програм м ир ов ани ем пер-
вого байта.
Чтение Flash памяти
А лгоритм чтения Flash пам яти д анн ы х приведен ниж е (по д -
робности загрузки ком анд, ад ресов и данны х см. в р азд ел е Про-
граммирование Flash памяти).
1. Загрузить ком анд у 0 0 0 0 0 0 1 0 .
2. З агрузить м ладш ий а д р е с ($ 0 0 - $ F F ).
3. З а гр у зи ть с тар ш и й а д р е с (д л я А Т т е д а б О З : $ 7 F , д л я
А Т те д а Ю З : $FF).
4. Установить О Е в состоя ни е 0 и BS1 в состояни е 0. По
вы водам Р В (7 - 0) м ожно считать м л ад ш и й б а й т данны х
5. Установить BS в состояни е 1. П о вы водам Р В (7 - 0) м о ж -
но считать старш ий байт данны х.
6. Установить О Е в состояни е 1
Ком анда загр уж ается только пер ед ч те н и е м первого бай та.
Чтение памяти EEPROM
А лгоритм чтения E E P R O M пам яти данн ы х приведен ниж е
(подробности загрузки ком анд , ад р есо в и данн ы х см. в разделе
Программирование Flash памяти).
1. Загрузить ком анд у 0 0 0 0 0011.
2. Загрузить м ладш ий а д р е с E E P R O M ($ 0 0 - $ F F ).
3. Загрузить старш ий а д р е с E E P R O M (для А Т те д а б О З : $ 07 ,
для А Т т е д а Ю З : $ 0F ).
4. Установить О Е в состо я ни е 0 и BS1 в состояни е 0. По
выводам Р В (7 - 0) м ож но считать б а й т данн ы х E E P R O M .
5. Установить О Е в состояни е 1.
Ко м ан да загр уж ается только перед ч те н и е м первого бай та.
Программирование битов-предохранителей
А лгоритм програм м ирования б и тов -пред о хр ан и тел ей приве-
ден ниж е (подробности загрузки ком анд , ад ресов и данны х см.
в разделе Программирование Flash памяти).
1. Загрузить ком анду 0 1 0 0 0 0 0 0 .
2. Загрузить данны е
Бит 5 = 0 программирует S P IE N бит-предохранитель. Бит 5 = 1
стирает S P IE N бит-предохранитель.
Бит 3 = 0 программирует E E SA VE бит-предохранитель. Бит 3 = 1
стирает E E SA VE бит-предохранитель.
Бит 2 = всегда в состоянии 1.
Бит 1 = 0 программирует SUT1 бит-предохранитель. Бит 1 = 1
стирает SUT1 бит-предохранитель.
Бит 0 = 0 программирует S U T0 бит-предохранитель. Бит 0 = 1
стирает S U T0 бит-предохранитель.
3. Подать на вывод W R отрицательный импульс и ожидать пере-
хода вывода R D Y /B S Y на высокий уровень.
Программирование битов блокирования
А лгоритм програм м ирования битов блокирования приведен
ниже (подробности загрузки ком анд , ад р есо в и данн ы х см. в
разд ел е Программирование Flash памяти).
1. З агрузить ком анд у 0 0 1 0 0 0 0 0 .
2. З агрузить данны е.
Бит 2 = 0 пр ограм м ир ует бит блокирования 2.
Б ит 1 = 0 пр ограм м ир ует бит блокирования 1.
3. П одать на вывод W R отрицательны й им пульс и ожидать
перехода вы вода R D Y /B S Y на высокий уровень.
Биты бло кир ов ани я м огут быть очищ ены только при вы пол-
нении оп ераци и очистки кристал ла.
Чтение битов-предохранителей и битов блокирования
А лгоритм ч тен ия би тов -пред о хр ан и тел ей и битов блокиро-
вания приведен ни ж е (подробности загрузки ком анд, ад ресов и
данны х см. в р азд ел е Программирование Flash памяти).
1. З агрузить ком анд у 0 0 0 0 0 1 0 0 .
2. Установить О Е в состояние 0 и BS1 в состояни е 0 или 1.
По вы водам Р В (7 - 0) м ож но считать состояния би тов -предо х-
р ан ител ей и битов блокирования.
П р и B S 1 = 0
Бит 5: би т-предохранитель S P IE N (0 - запрограм м ирован, 1 -
очищ ен).
Бит 3: бит-предохранитель S P IE N (0 - запрограм м ирован, 1 -
очищ ен).
Б ит 1: би т-пред о хр ан и тел ь S U T 1 (0 - зап рогр ам м и ров ан, 1 -
о чи щ ен).
Б итО : би т-пред о хр ан и тел ь S U T 0 (0 - зап рогр ам м и ров ан, 1 -
очи щ ен).
П р и B S 1
= 0
Бит 2: бит блокирования LB1 (0 - запрограммирован, 1 - очищен).
Бит 1: бит блокирования LB0 (0 - запрограммирован, 1 - очищен).
3. Установить О Е в состояние 1.
Чтение байтов сигнатуры
Алгоритм чтения байтов сигнатуры приведен ниже (подробности
загрузки команд, адресов и данных см. в разделе Программирова-
ние Flash памяти).
1. Загрузить команду 0000 1000.
2. Загрузить байт адреса ($00 - $02).
3. Установить О Е в состояние 0 и BS1 в состояние 0. По выводам
РВ(7 - 0) можно считать байт сигнатуры.
4. Установить О Е в состояние 1.
Команда загружается только перед чтением первого байта.
Программирование Flash и EEPROM памяти по последова-
тельному каналу (Serial Downloading)
И Flash память программ, и E E P R O M память данных могут быть
запрограммированы по последовательной шине SPI. При этом вывод
R E S E T должен быть подключен к уровню G N D . Последовательный
интерф ейс организуется посредством выводов SCK, F5XD/PDI (вход) и
T X D /P D O (выход). После установки на выводе R E S E T низкого уровня,
прежде чем начать операции программирования/стирания, необходи-
Табл.40
К о м а н д а
Ф о р м а т к о м а н д ы
О п и с а н и е
Б а й т 1
Б а й т 2
Б а н т 3
Б а й т 4
Р а з р е ш и т ь п р о г р а м м и р о в а н и е
(P ro g ra m m in g E n a b le )
ЗОЮ
103
Х х х х
x x x x
Р а з р е ш а е т п о с л е д о в а т е л ь н о е п р о г р а м м и р о в а н и е п о с л е у с т а н о в к и R E S E T
н а н и з к и й у р о в е н ь
1300
11
х х х х
x x x x
О ч и с т и т ь к р и с т а л л (C h ip E rase)
1010
ЗООх
х х х х
X x x x
О ч и щ а е т F la sh и E E P R O M п а м я т ь
1300
х х х х
х х х х
x x x x
Ч и т а т ь п а м я т ь п р о г р а м м (R e a d P ro g ra m M e m o ry )
10
а а а а
B b b b
O o o o
Ч и т а е т Н (1 и л и 0) и д а н н ы е о п а м я т и п р о г р а м м п о с л о в у а д р е с а а:Ь
нооо
а а а а
b b b b
o o o o
З а г р у з и т ь с т р а н и ц у п а м я т и п р о г р а м м
(L o ad P ro g ra m M e m o ry P a g e )
300
х х х х
X b b b
ІІ1І
З а п и с ы в а е т Н (1 и л и 0) и д а н н ы е і в п а м я т ь п р о г р а м м п о с л о в у а д р е с а b
нооо
х х х х
b b b b
n il
З а п и с а т ь с т р а н и ц у п а м я т и п р о г р а м м
(W rite P ro g ra m M e m o ry P a g e )
300
А а а а
b x x x
x x x x
З а п и с ы в а е т с т р а н и ц у п а м я т и п р о г р а м м п о а д р е с у а:Ь
1100
а а а а
х х х х
x x x x
Ч и т а т ь E E P R O M п а м я т ь
(R e a d E E P R O M M e m o ry )
1010
х х х х
B b b b
O o o o
Ч и т а е т д а н н ы е о и з E E P R O M п а м я т и п о а д р е с у а-.Ь
0
а а а а
b b b b
o o o o
З а п и с а т ь в E E P R O M п а м я т ь
(W rite E E P R O M M e m o ry )
1100
х х х х
B b b b
І1І1
З а п и с ы в а е т д а н н ы е і в E E P R O M п а м я т ь п о а д р е с у а:Ь
0
а а а а
b b b b
itii
Ч и т а т ь б и т ы б л о к и р о в к и (R e a d L o c k B its)
101
Х х х х
X x x x
x x x x
Ч и т а е т б и т ы б л о к и р о в к и .
0 - з а п р о г р а м м и р о в а н , 1 - ^ з а п р о г р а м м и р о в а н
1000
х х х х
x x x x
x 2 1 x
З а п и с а т ь б и т ы б л о к и р о в к и (W rite L o c k B its)
1010
1ІІХ
x x x x
X x x x
З а п и с ы в а е т б и т ы б л о к и р о в к и . П р и п р о г р а м м и р о в а н и и б и т ы 1,2 = 0
1100
х 2 1 х
x x x x
x x x x
Ч и т а т ь б и т ы -п р е д о х р а н и т е л и (R e a d F u s e B its)
101
Х х х х
x x x x
x x 5 x
Ч и т а е т б и т ы -п р е д о х р а н и т е л и .
0 - з а п р о г р а м м и р о в а н , 1 - н е з а п р о г р а м м и р о в а н
0
х х х х
x x x x
6 1 4 3
З а п и с а т ь б и т ы -п р е д о х р а н и т е л и (W rite F u s e B its)
ЗОЮ
Ю 1х
X x x x
x x x x
З а п и с ы в а е т б и т ы -п р е д о х р а н и т е л и . У с т а н а в л и в а е т б и т ы 6, 4,3 = 0 д л я
п р о г р а м м и р о в а н и я б и т о в , 3 д \ я о ч и с т к и б и т о в
1100
6 1 4 3
x x x x
x x x x
Ч и т а т ь б а н т с и г н а т у р ы (R e a d S ig n a tu r e B y te)
11
Х х х х
x x x x
o o o o
Ч и т а е т б а й т с и г н а т у р ы о п о а д р е с у b
0
х х х х
x x b b
o o o o
12/2003
45
предыдущая страница 46 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн следующая страница 48 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн Домой Выключить/включить текст