ГОРИЗОНТЫ ТЕХНИКИ
Intel: в одном ш аге от 90 нм
У ж е д авно не секрет, что корпорация Intel го то ва к переходу на те хн о л оги ю пр ои зво д ства 90 нм. По этом у случаю в М о скв у прибы л Ф р э н к С пиндлер
(Frank Є. Spindler), ви ц е-пр е зи д ен т C orporate T e chnology G roup Intel. Н а своей встрече с ж ур н а л и ста м и он подробно р асска зал о д е тал ях и пе рсп е кти ва х
технологий пр ои зво д ства процессоров вплоть д о 2011 года.
Ф р э н к С пиндлер р асска зы в ае т ж ур н а л и ста м о п е р сп е кти ва х
П роцесс
Ввод в
:
Р856
Р858
РхбО
Р1262
Р12Є4
:
Р1266
Р1268
;
Р 1270
производство
1997
1999
2001
2003
2005
2007
2009
2011
Техпроцесс
Р азм ер
0,25 м км
0 ,1 8 м км
0,13 м км
90 нм
65
НМ
Î
45 нм
32 нм
22 нм
пластины (мм)
200
200
200/300
300
300
300
300
300
С оединения
AI
AI
:
С и
Си
, Си
Си
С и
Канал
Д и эл ектри к
Si
Si
Si
раст. Si
раст. Si
раст. Si
раст. Si
раст. Si
за твора
S i0 2
S i0 2
, sic),
е ю ,-
s i b / 'Й г
H igh к
H igh-k
H igh-k
М атериал
затвора
П оликр.
кре м н и й
П оликр.
кре м н и й
П оликр.
крем н ий
П оликр.
крем н ий
П оликр.
кре м н и й
М еталл
М еталл
М еталл
О дна из наиболее интересны х р а зр а б ото к Intel п о сл ед н е го врем ен и - технология "ра стя н уто го крем н ия" (strained silicon te chnology), которую Intel
планирует использовать при п роизвод стве м икросхем с пр о е ктн о й норм ой 0,09 м и кр о н , или 90 наном етров (1 наном етр - о д н а м иллиардная доля м етра).
На срезе чел о ве че ско го волоса, которы й тр ад и ц и о н н о прим еняется для сравнен ия ка к н екий эталон м ини а тю ри за ц и и , м ож ет пом еститься около ты сячи
тран зисторов, созд анны х по 90-нм п р о и зво д ств ен н о м у техпроцессу. Р азм ер ка ж д о го та ко го тр ан зи стор а - гл авн ого элем ента м и кр о схем ы - ум естно
сравнить с разм ером вируса гриппа (окол о 100 нм)!
Идея те хн о л оги и "р а стя н уто го крем н ия" предельно проста. В процессе м и н и а тю ри за ц и и тр а н зи сто р о в и ум ен ьш е -
ния площ ади их сечения возра ста ет со противл ение эл е ктр и ческо м у то ку, которы й проходит через тран зистор. В резуль-
тате тр ан зи стор "сра б а ты вае т" го р а зд о м едленнее, чем хотелось бы , а тепловы деление, наоборот, только ув ел ичивает-
ся. С пециалисты Intel р еш ил и “растян уть" кри ста л л и ч ескую р е ш е тку в тр ан зисторе, чтобы увел ичить расстояние м еж ду
а том ам и и облегчить пр оте кан и е то ка .
П ри этом инж енеры подразделения Logic Technology D evelopm ent Division корпорации Intel разработали два независи-
м ы х способа "растяж ения" крем н ия для разн ы х типов транзисторов. Н апом ним , что сущ ествует два типа C M O S -транзисто-
ров (C M O S, com plim entary m etal oxide sem iconductor - полупроводниковая технология, прим еняем ая при изготовлении всех
л о ги че ски х м икросхем , вклю чая м икропроцессоры и чипсеты ): N -типа, обладаю щ ие эл ектронной проводим остью , и Р-
типа, ха рактеризую щ иеся проводим остью ды рочной. Так вот, в N M O S -устройствах поверх тран зи стор а в направлении
д виж ения эл е ктр и ческо го то ка наносится слой нитрида крем ния (Si3N4), в результате чего крем н иевая кристаллическая
реш етка и "растягивается". В P M O S -устройствах "растяж ение" достигается за счет нанесения слоя SiGe в зоне образования переносчиков тока - здесь
реш етка "сжим ается" в направлении движ ения эл ектрического тока, и потом у “д ы рочны й" то к течет свободнее. В обоих случаях прохож дение тока значитель-
но облегчается- в первом случае - на 10%, во втором - на 25% . С очетание ж е обеих технологий д ает 2 0.
..30-процентное ускорение тока.
В первы е об использовании ун и ка л ьн о й те хн о л оги и "р а стя н уто го кре м н и я " в техн о л оги че ско м процессе 90 нм бы ло объ явлено в а вгусте 2002 г. С той
поры сниж ен ие числа д е ф е ктов на в ы п уска е м ы х п о д л о ж ка х ш ло го р а зд о более вы со ки м и тем пам и, чем для пред ы д ущ и х по ко л е н и й производ ствен ны х
технологий 0,18- и 0,13-м км , что и позволило спустя всего го д с н ебол ьш им перейти к п о л но м а сш та б но м у пр ом ы ш л е н но м у пр ои зво д ству.
На ф аб риках Intel D 1С в Х иллсборо (ш т. О регон) и 11X в Р и о-Р анчо (ш т. Н ью -М ексико) эта технол огия начинает внедряться в м ассовое производство.
Третьей ф аб р и ко й по прои зво д ству 90-нм п р од укц и и Intel ста н е т F ab24 в Л ей ксл и п е (И рландия), которая вступ и т в строй в первой половине 2004 года.
На основе 300-м м под л ож ек с и сп ол ьзованием 90-нм те хпро ц е сса будут и зго тавл и ва ться проц ессоры Intel® P entium ® М сл е д ую щ е го поколения для
м обильны х П К. известны х под кодовы м н а и м ен ованием D othan, и пр оц е ссо ры In te ® P entium ® 4 сл е д ую щ его поколения для настол ьн ы х П К, и звестны х
пока ка к P rescott О ни ста н ут первы м и п р од укта м и кор п о ра ц и и Intel, и зго то в л е н н ы м и с и сп ол ьзованием те хн о л оги и 90 нм. О чень важ но, что и спол ьзова-
ние "растянутого крем ния" уд орож ает сто и м о сть пр ои зво д ства п о д л ож ки лиш ь на 2% . Intel планирует испол ьзовать технологию "ра стя н уто го крем ния" и в
процессе сл е д ую щ его поколения с п р ое ктн о й норм ой 65 нм (техпроцесс 1264 планируется к пр ом ы ш л е н но м у внедрению в 2005 году).
Самы й м аленький л етаю щ ий робот в мире
К о м п а н и я S eiko E p so n на п р о -
хо д я щ е й в эти д н и в Т о ки о в ы с т а в -
ке "Р об о ты 2 0 0 3 " п р е д с та в и л а о б -
щ е с т в е н н о с т и св о ю н о в у ю р а з р а -
б о тку. Э то прото ти п с а м о го м а л е н ь -
ко го л е та ю щ е го р о б о та в м и ре , п о -
л у ч и в ш е г о н а з в а н и е T h e M ic ro
Flying R obot (M F R ). Н а е го со зд а н и е
в S e iko E pson за т р а т и л и тр и год а.
У пр а вл яе тся р об от при п о м о щ и
технологии Bluetooth, и п о ка M FR м о-
ж е т летать то л ько и сп о л ьзуя каб е л ь
д л и н о й 1,5 м етра, п о д со е д и н е н н ы й к
В б уд ущ е м п л а н и р уе тся со зд а ть
Э то д а с т в о зм о ж н о сть и сп о л ьзо в а ть
о п е р а ц и я х во врем я ка та стр о ф .
Р а зм е р ы M FR : д и а м е тр - око л о
щ и й вес - 8,9 гр ам м .
эл е ктр о ге н е р а то р у ,
ул ь тр а л е гку ю б а т а р е й ку д л я р об о та ,
р об о та п ри р а зл и ч н ы х с п а с а те л ь н ы х
130 м м , вы со та - о ко л о 70 м м , а об-
И в N intendo будет IBM !
П охож е, п р о ц е с с о р ы IB M б у д у т п р и с у т с т в о в а т ь во в се х тр е х о с н о в -
ны х и гр о в ы х п р и с та в ка х : от S o n y, от M ic ro s o ft и от N in te n d o .
IB M р а зр а б о та л а чип для G a m e C u b e - п р о ц е с с о р на о с н о в е P o w e r PC
400. О н п о л учи л н а зв а н и е "G e k k o ", о тн ы н е и м е н н о G e k k o - о ф и ц и а л ь н ы й
в ы б ор для б у д у щ и х и гр о в ы х ко н с о л е й N in te n d o . Т а к ж е в е д утся р а з р а б о т -
ки ч и п а для G a m e B o y A d va n ce .
Контроллеры источников питания
с нескольким и выходными напряж ениям и
для Ж К И мониторов
M a xim In te g ra te d P ro d u c ts п р е д с т а в л я е т п р и б о р ы М А Х 1 5 3 0 /
М А Х 1531, кото р ы е вы р а б а ты в а ю т все на п р я ж е н и я питания, н еобход и-
м ы е д п я питания Ж К И , и зго то в л е н н ы х по те хн о л о ги и то н ко п л е н о чн ы х
тр а н зи сто р о в . О ба п р и б о р а со д е р ж а т в ы со ко эф ф е кти в н ы й п о н и ж а ю -
щ и й ста б и л и за то р , р а б о та ю щ и й на ф и кси р о в а н н о й ч астоте. С таб и л и -
за то р им ее т си н хр о н н ую с тр у кту р у на основе N -ка н а л ь н ы х полевы х
тр а н зи сто р о в , что п о зво л я е т ем у работать с К П Д д о 93% . В ы со кая ра-
бочая часто та по зво л я е т и спол ьзовать и н д укти в н о сти и кон д ен саторы ,
им ею щ ие м аленькое ном инальное значение, что позволяет строить ко м -
п а ктн ы е и с то ч н и ки питания. М А Х 1530 с о д е р ж и т тр и кон тр о л л е ра л и -
н ейны х с та б и л и за то р о в , а М А Х 1531 - пять ста б и л и за то р о в , п р е д н а з-
начен ны х для о б е сп е че н и я питания и см ещ е н и я Ж К И . П р о гр а м м и р уе -
м ая п о сл ед о в а тел ь н о сть в кл ю ч е н и я о б е сп е чи в а е т уп р ощ е н и е уп р а в -
ления ста б и л и зато р ам и .
М А Х 1 5 30 /М А Х 1 5 3 1 и м е ю т ф у н кц и ю п л а в н о го в кл ю ч е н и я , что п о -
зв о л я е т и з б е ж а ть б р о с к о в т о ка при в кл ю ч е н и и . Ф у н кц и я о гр а н и ч е -
ния в ы х о д н о го т о к а п о зв о л я е т з а щ и ти ть и с т о ч н и к п и та н и я п р и К З
н а гр у з ки . А р х и т е кт у р а ко н тр о л я т о ка п р и б о р о в М А Х 1 5 3 0 /М А Х 1 5 3 1
о б е с п е ч и в а е т м ал о е в р е м я р е а кц и и на и зм е н е н и е н а гр у з ки и у п р о -
щ а е т к о м п е н с а ц и ю . В с тр о е н н ы й л и н е й н ы й с та б и л и з а т о р с п о с о б е н
у п р а в л я ть п о л е в ы м т р а н зи с то р о м и п и та ть н и зко п о тр е б л я ю щ и е в н е -
ш н и е н а гр у з ки .
М А Х 1530/М А Х 1531 р аботаю т при н а пряж ении питания до 28 В и
идеально подходят для прим енения в Ж К И м он и тор а х и телевизорах,
работаю щ их от AC -D C адаптеров. О ба прибора вы пускаю тся в м иниатю р-
ны х (5x5 м м ) св е р хто н ки х (0,8 мм) 3 2-вы во д ны х Q FN кор пуса х и им ею т
раб о чи й те м п е р атур н ы й д и а п а зон от -40 °С д о +85 °С.
12/2003
5
предыдущая страница 6 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн следующая страница 8 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн Домой Выключить/включить текст