Піп
2001
Ulli
БЫТОВАЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКА
азывайло
п р и м е н е н и е
IGBT
п р и б о р о в
MOTOROLA
в
и м п у л ь с н ы х
СЕТЕВЫ Х АДАПТЕРАХ
В настоящее время в производстве
понижающих сетевых блоков питания
(сетевых адаптеров) небольшой мощ-
ности наметилась тенденция замены
сетевых трансформаторов 50.
..60 Гц
на более компактные и менее матери-
алоемкие импульсные трансформато-
ры, работающих на частотах 50.
.. 150
кГц. В качестве основного принципа ре-
гулирования в импульсных блоках пи-
тания (БП) принят принцип широтно-
импульсной модуляции (ШИМ), при ко-
тором скважность импульсов тока в
первичной обмотке трансформатора
изменяется в зависимости от сигнала
обратной связи. Сигнал обратной свя-
зи может формироваться в зависимос-
ти от назначения БП, при этом, обыч-
но, первичная (высоковольтная) и вто-
ричная (низковольтная) цепи не имеют
гальванической связи. В БП подобного
типа для управления током в первич-
ной обмотке применяют высоковольт-
ный МОП-транзистор.
В последнее время среди таких по-
лупроводниковых приборов все более
часто начинают применять так называ-
емые БТИЗ-приборы, которые пред-
ставляют собой модификацию МОП-
транзисторов. БТИЗ (или в англоязыч-
ной литературе ЮВТ) приборы хорошо
известны применением в высоковоль-
тной (1200 В и более) и сильноточной
(100 А и более) аппаратуре промыш-
ленной автоматики.
Многие изготовители выпускают на
рынок БТИЗ-приборы, параметры кото-
рых специально оптимизированы для
применения в импульсных сетевых
адаптерах небольшой мощности. По
совокупности параметров, соотноше-
нию цена - качество, удобству управ-
ления, БТИЗ-приборы превосходят
МОП и биполярные транзисторы.
Краткая характеристика БТИЗ-при-
боров. БТИЗ-прибор или Биполярный
Транзистор с Изолированным Затво-
ром
(рис.1)
представляет собой моди-
фикацию хорошо известного МОП-
транзистора, но в связи с наличием до-
полнительного Р+ слоя имеет некото-
рые особенности.
Большие пробивные напряжения,
надежность, удобство управления при-
бором, устойчивость к быстрому нара-
станию напряжения и большие импуль-
сные токи делают их похожими на МОП-
транзисторы. В то же время, они лише-
ны таких недостатков МОП-транзисто-
ров, как зависимость проводимости ка-
нала от температуры и приложенного
напряжения.
У БТИЗ-приборов отсутствует интег-
ральный встроенный диод, снижающий
временные характеристики МОП-при-
боров. Необходимо отметить, что из-за
того, что БТИЗ работают на неоснов-
ных носителях заряда (ННЗ), скорость
переключения у них ниже, чем у МОП-
транзисторов.
Пробивные напряжения БТИЗ-при-
боров достигают величины 1200 В. До-
полнительное увеличение проводимо-
сти достигается за счет второго внут-
реннего ЫРЫ транзистора, включенно-
го по схеме псевдо-Дарлингтона с РИР
транзистором подложки. Временные
характеристики БТИЗ-приборов не до-
стигают скоростей переключения бипо-
лярных транзисторов, но в то же вре-
мя при больших токах и напряжениях
по сумме характеристик БТИЗ-прибо-
ры превосходят и биполярные и МОП-
приборы.
Следует заметить, что при сравне-
нии характеристик, если при напряже-
нии 100 В падение на БТИЗ меньше па-
дения на МОП-приборе на 20.
. .25%, то
при 1200 В это различие достигает
95.
. .97%. Температурная зависимость
проводимости у МОП-транзисторов и
БТИЗ-приборов также различны. При
росте температуры
в диапазоне
20.
. . 150 градусов падение напряжения
на МОП-приборе растет на 230.
. .250%,
а у БТИЗ-приборов - падает на
20.
. .25%.
При работе импульсных источников
питания (ИИП), кроме характеристик
проводимости, важными являются ха-
рактеристики переключения. Время пе-
реключения у приборов БТИЗ меньше
чем у РЫР транзисторов в режиме на-
сыщения.
Некоторые особенности конст-
рукции сетевых адаптеров
Большую группу сетевых адаптеров
составляют устройства с мощностью
Рис. 2
Vf! HU l i t t tow
ттгп
Танцуем от питания
предыдущая страница 16 Радиолюбитель 2001-06 читать онлайн следующая страница 18 Радиолюбитель 2001-06 читать онлайн Домой Выключить/включить текст