РАДИОЛЮБИТЕЛЬ - НАЧИНАЮЩИМ
СЕНТЯБРЬ
В. БЕНЗАРЬ,
EU1AA/5B4AGM
СЛОВАРЬ-СПРАВОЧНИК
ПЕНТОД - пятиэлектродная электронная
радиолампа (рис. 38), имеющая катод, анод, уп-
равляющую С1, экранизирующую С2 и защит-
ную СЗ сетки. Защитная сетка, расположенная
между экранирующей сеткой и анодом, соеди-
няется внутри или снаружи лампы с катодом и
имеет нулевой потенциал (<рсз = 0). Потенциалы
точек поля вблизи защитной сетки ниже потен-
циала и поэтому вторичные электроны, поки-
нувшие анод, попадают в тормозящее поле и
возвращаются обратно на анод, устраняя ди-
натронный эффект. В пентодах экранирующая
сетка делается с меньшим шагом, а защитная -
с большим, чем управляющая, что соответству-
ет их назначениям: экранирующая предназна-
чается для уменьшения проходной емкости, а
защ итная-для незначительного понижения по-
тенциалов точек поля вблизи ее, обеспечиваю-
щего возврат вторичных электронов на эмитти-
рующую поверхность и в то же время не оказы-
вающего значительного противодействия пер-
вичным электронам, излучаемым катодом.
Анодная характеристика пентодов не имеетпро-
валов, обусловленных динатронным эффектом,
и сходна с характеристикой лучевого тетрода.
В начале анодный ток с увеличением анодного
напряжения резко возрастает: происходит пе-
рераспределение токов между анодом и экра-
нирующей сеткой (при более высоком анодном
напряжении ток растет медленнее, так как в пен-
тоде наличие третьей сетки приводит к еще
большему ослаблению влияния анодного напря-
жения на поле лампы и на анодный ток). Коэф-
фициент усиления и внутреннее сопротивление
пентодов достигают больших значений (ц = 1000
и более; Я = 1.
..2 МОм). Крутизна характерис-
тики доходит до 50.
. .70 мА/В. Применение очень
густой экранирующей сетки и использование до-
полнительного экранирования внутри лампы по-
зволяет получить проходную емкость у высоко-
частотных пентодов менее 0,003 пФ - намного
меньше, чем у тетродов. Это способствует ис-
пользованию пентодов на высоких частотах.
ПЕТЛЯ ГИСТЕРЕЗИСА - зависимость маг-
нитной индукции
В
от напряженности магнитно-
го поля Я ферромагнетика при циклическом пе-
ремагничивании. Три петли гистерезиса, типич-
ные для мягкой стали, пермоллоя и твердой ста-
ли, приведены на рис. 39. Прямоугольностъ пет-
ли гистерезиса характеризуется отношением ин-
дукции
В г
к максимальной индукции £ ши, кото-
рое может достигать значений 0,95. .
.0,99.
ПЛОТНОСТЬ ТОКА - отношение силы тока
/к площади поперечного сечения 5 провода, по
которому он проходит:
Плотность тока в проводе определяется за-
рядом, проходящим через единицу поперечно-
го сечения провода в секунду, который пропор-
ционален скорости движения заряженных час-
тиц вдоль провода. Скорость движения частиц
в свою очередь пропорциональна силам поля,
действующим на эти частицы. Таким образом,
плотность тока в проводе пропорциональна на-
пряженности электрического поля:
8 = уЕ.
Единицей плотности в системе СИ являет-
ся 1 А/м2 или кратная ей единица 1 А/мм2.
ПОЛУПРОВОДНИКИ - вещества, облада-
ющие промежуточной проводимостью между
проводниками и диэлектриками. К ним относят-
ся металлы: кремний, германий, селен, окислы
металлов и др. Являются основой для построе-
ния широкого класса полупроводниковых при-
боров, составляющих основу современной ра-
диоэлектроники. Удельное объемное элект-
рическое сопротивление полупроводников -
10 5.
..107 Ом ■
м. Для них характерна большая
зависимость проводимости от температуры,
электрического поля, освещенности, механичес-
кого давления и других внешних факторов. В
отличие от проводников они имеют не только
электронную, но и дырочную проводимость. При
температуре, близкой к абсолютному нулю, и
отсутствии примесей все валентные электроны
атома в кристалле германия взаимно связаны,
свободных электронов нет, и кристалл не обла-
дает проводимостью. При повышении темпера-
туры или при облучении энергия части электро-
нов увеличивается, что приводит к частичному
нарушению ковалентных связей и появлению
свободных электронов. Германий уже при ком-
натной температуре становится полупроводни-
ком. Под действием внешнего электрическо-
го поля свободные электроны перемещают-
ся, обусловливая электронную проводимость
(п-проеодимость)
.
В момент образования сво-
бодного электрона в ковалентных связях воз-
никает свободное (вакантное) место - электрон-
ная дырка. В это время какой-либо электрон со-
седней связи может занять место дырки; нор-
мальная связь в этом месте восстановится, но
нарушится там, откуда прибыл этот электрон.
Эту новую дырку может занять следующий элек-
трон и тд. Под действием внешнего электри-
ческого поля происходит перемещение дырок
в направлении поля (обратном перемещению
электронов). Перемещение дырок эквивалент-
но перемещению положительных зарядов. Этот
процесс называется
дырочной проводимостью
(р-проводимостью).
Если при электронной про-
водимости один свободный электрон проходит
весь путь в кристалле, то при дырочной боль-
шое количество электронов поочередно заме-
щают друг друга в связях (происходит как бы
эстафета электронов, при которой каждый из
них проходит свой этап пути). Таким образом,
проводимость проводника складывается из
электронной и дырочной. При нарушении пар-
ноэлектронных связей в кристалле одновремен-
но возникает одинаковое число свободных элек-
тронов и дырок. Если с повышением темпера-
туры образуются пары электрон - дырка, то с
понижением - происходит их рекомбинация.
При заданной температуре число пар в едини-
це объема полупроводника в среднем остается
постоянным. Электропроводность полупровод-
ника при отсутствии в нем примесей называет-
ся
собственной электропроводностью.
Полупро-
водники имеют отрицательный температурный
коэффициент сопротивления, который по абсо-
лютной величине в 10.
..20 раз больше, чем у
металлов. Это свойство используется для изго-
товления терморезисторов.
Свойства полупроводника можно изменить,
внося в него незначительное количество при-
меси. Вводя в кристалл полупроводника атомы
других элементов, можно получить в нем пре-
обладание количества свободных электронов
над дырками, или наоборот. Например, при вне-
сении в основное вещество примесей путем за-
мещения в кристаллической решетке атома гер-
мания атомом мышьяка, имеющим пять вален-
тных электронов, четыре атома мышьяка обра-
зуют заполненные связи с соседними атомами
германия, а пятый электрон, слабо связанный
с атомом мышьяка, превратится в свободный.
Таким образом, примесь мышьяка увеличивает
электронную проводимость. При замещении
атома германия атомом индия, имеющим три
валентных электрона, они вступают в ковален-
тную связь с тремя атомами германия, а связь
с четвертым - будет отсутствовать, так как у ин-
дия нет четвертого электрона. Восстановление
всех связей возможно, если недостающий чет-
вертый электрон будет получен от ближайшего
атома германия. Но в этом случае образуется
дырка и создается движение дырок в полупро-
воднике. Таким образом, примесь индия повы-
шаетдырочную проводимость полупроводника.
Полупроводники с преобладанием электронной
проводимости называются
полупроводниковыми
типа п
(от латинского слова
negative
- отрица-
тельный), а с преобладанием дырочной прово-
димости - типа
р
(от латинского
positive
- поло-
жительный). Носители заряда, определяющие
собой вид проводимости в примесном полу-
проводнике,
ЯВЛЯЮТСЯ
основными
(электроны
в »-полупроводнике или дырки в/мтолупровод-
нике), а носители заряда противоположного зна-
ка -
не основными.
Примеси, вызывающие пре-
обладание электронной проводимости (вален-
тных электронов больше, чем у атома данного
полупроводника) называются
донорными,
а пре-
обладание дырочной проводимости (с мень-
шим числом валентных электронов в атоме по
сравнению с атомом данного полупроводника)
-акцепторными.
В зависимости от процентного
содержания примеси проводимость полупро-
водника возрастает по сравнению с собствен-
ной примесью полупроводника в десятки и сот-
ни тысяч раз.
(П родолж ение следует)
РЛ
предыдущая страница 35 Радиолюбитель 2002-09 читать онлайн следующая страница 37 Радиолюбитель 2002-09 читать онлайн Домой Выключить/включить текст