МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ
Схема организации вывода порта Е (вывод РЕ2) приведена на
рис. 51.
W P - З а п и с ь P O R T E
W D - З а п и с ь D D R E
R L - Ч т е н и е ф и к с а т о р а P O R T E
R P - Ч т е н и е с о с т о я н и я в ы в о д а P O R T E
R D - Ч т е н и е D D R E
Схема организации вывода порта Е (вывод РЕЗ) приведена на
рис. 52.
W P - З а п и с ь P O R T E
W D - З а п и с ь D D R E
R L
-
Ч т е н и е ф и к с а т о р а P O R T E
R P - Ч т е н и е с о с т о я н и я в ы в о д а P O R T E
R D
-
Ч т е н и е D D R E
Схема организации выводов порта Е (выводы с Р Е 4 no РЕ7) при-
ведена на рис. 53.
W P - З а п и с ь P O R T E
W D - З а п и с ь D D R E
R L - Ч т е н и е ф и к с а т о р а P O R T E
R P - Ч т е н и е с о с т о я н и я в ы в о д а P O R T E
R D - Ч т е н и е D D R E
n - 4 , 5 , 6, 1
П орт F
Порт F является 8-разрядным портом. В пространстве памяти I/O
этому порту соответствует только PINF, $00($20) - выводы входа пор-
та F. Все входы порта F соединены с аналоговым мультиплексором,
присоединенным, в свою очередь, к аналого-цифровому преобразо-
вателю. Выводы порта F, кроме выполнения функций входов мульти-
плексора, могут быть использованы и в качестве цифровых входов,
что позволяет пользователю в одно и то ж е время использовать часть
выводов порта F в качестве цифровых входов и оставшуюся часть - в
качестве аналоговых входов.
PIN F - адрес выводов входа порта F не является регистром в пол-
ном смысле этого слова, эти адреса обеспечивают считывание физи-
ческого состояния каждого вывода порта.
Схема организации выводов порта F (выводы с PFO по PF7) при-
ведена на рис. 54.
Б иты б л о кир ов ани я п р о гр ам м и р о в ан и я пам яти
M C U микроконтроллеров А ТтедабО З/103 оснащ ено двумя бита-
ми, которые могут быть оставлены незапрограммированными (в со-
стоянии 1) или запрограммированы (состояние 0). Влияние состояний
битов на работу микроконтроллеров показано в табл. 36.
Б и ты -п ред охрани тел и
Микроконтроллеры A Tm eg a603/103 оснащены че-
тырьмя битами-предохранителями S P IE N , S U T1, S U T0
и EESAVE. При запрограммированном в состояние 0 бите
SPIEN разрешается последовательная загрузка програм-
мы. По умолчанию бит SPIEN находится в состоянии 0, в
режиме последовательного программирования он недо-
ступен и при выполнении операции очистки кристалла
его состояние не меняется. Биты-предохранители SUT1
и S U T 0 определяют длительность цикла запуска M CU.
П о д р о б н о с т и с м . в т а б л . 6.
По умолчанию эти биты не
запрограммированы (состояние битов 11) и задаю т дли-
тельность цикла запуска в 16 мс.
При запрограм м ированном бите-предохранителе
E E S A V E память E E P R O M предварительно обрабаты-
вается циклом очистки кристалла. По умолчанию бит-
предохранитель E E SA VE не запрограммирован (состо-
яние 1), он не может быть запрограммирован, если хотя
бы один бит блокировки запрограммирован.
Б айты си гн атур ы (коды и д ентиф икации)
Все микроконтроллеры фирмы Atmel оснащены тре-
мя байтами кода сигнатуры, позволяющими идентифи-
цировать прибор. Этот код может быть считан и в после-
довательном, и в параллельном режимах. Эти три байта
расположены в отдельном адресном пространстве.
Для микроконтроллера А ТтедабО З это:
1. $00: $1 Е (показывает, что прибор изготовлен фирмой Atmel).
2. $01 : $06 (показывает, что прибор оснащ ен 64 Кбайтами Flash
памяти).
3. $02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $06, то это
микроконтроллер АТтедабО З).
Для микроконтроллера A Tm egal 03 это:
1. $00: $1Е (показывает, что прибор изготовлен фирмой Atmel).
2. $01: $01 (показывает, что прибор оснащ ен 128Кбайтами Flash
памяти).
3. $02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $01, то это
микроконтроллер A Tm egal 03).
П р ограм м и ро в ан и е Flash и E E P R O M пам яти
Микроконтроллеры A Tm eg a6 0 3 /1 03 оснащ ены внутрисистемно
программируемой Flash памятью, емкостью 6 4/1 28 Кбайт, и 2/4 Кбай-
тами E E P R O M памяти данных. При поставке микроконтроллеров и
встроенная Flash память программ, и E E P R O M память данных на-
ходятся в очищ еном состоянии (т.е. содержимое в состоянии $FF),
и они готовы к программированию . Приборы поддерживаю т режим
высоковольтного (12 В) параллельного программирования и режим
низковольного последовательного программирования. Напряжение
программирования 12 В используется, только если программиро-
вание разреш ено, в ином случае ток по этому выводу не потребля-
ется. Режим последовательного программирования явля-
ется обычным способом загрузки программ и данных в мик-
роконтроллеры , находящ иеся непосредственно в системе
пользователя.
М а т р и ц а п а м я т и п р о гр а м м м и к р о к о н тр о л л е р о в
A T m eg a6 0 3 /1 03 организована из 2 5 6 /5 1 2 страниц по 256
байт каждая. При программировании Flash памяти данны е програм-
мы фиксируются в буф ере страницы, что позволяет программиро-
вать сразу целую страницу данны х программы в лю бом из режимов
программирования.
М атрица E E P R O M памяти данных микроконтроллеров програм-
мируется по-байтово (байт - за - байтом) во всех режимах программи-
рования. В последовательном режиме программирования встроенная
функция самотактирования E E P R O M выполняет автоматическую пред-
варительную очистку каждого программируемого байта.
Р еж им пар ал л ел ьн ого пр ограм м ир ов ани я
В данном разделе описывается программирование и проверка
Flash памяти программ, E E P R O M памяти данных, битов блокиро-
Т а б л .36
Б и ты б л о к и р о в а н и я
п р о г р а м м и р о в а н и я
Т и п за щ и т ы
Р е ж и м
LB1
LB2
3
I
I
Н е т б л о к и р о в а н и я п р о г р а м м и р о в а н и я
2
0
I
П р о г р а м м и р о в а н и е F la sh и E E P R O M з а п р е щ е н о
3
0
0
Т о ж е , ч то и р е ж и м 2, н о з а п р е щ е н а и п р о в е р к а
Б иты
7
6
5
4
3
2
l
ü
$ 0 0 ($20)
P IN F 7
P IN F ö
P IN F 5
P IN F 4
P IN F 3
P IN F 2
P IN F I
P IN F 0
P IN F
Ч т е н и е /
З а п и с ь
R
R
R
R
R
R
R
R
Н а ч а л ь н о е
с о с т о я н и е
H i-Z
H i-Z
H i-Z
H i-Z
H i-Z
H i-Z
H i-Z
H i-Z
42
12/2003
предыдущая страница 43 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн следующая страница 45 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн Домой Выключить/включить текст