МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ
Рис. 50
Рис. 51
к компаратору
--------------------------------- АС+
Рис. 52
вания программирования памяти и битов-предохра-
нителей в режим е параллельного программирования.
Используемые при этом импульсы должны быть дли-
тельностью не м енее 5 00 нс, если это специально не
оговорено.
Обозначения сигналов
Соответствие обозначений выводов обозначени-
ям сигналов приведено в табл. 37.
В данном разделе ряд выводов микроконтролле-
ров A T m eg a603/103 указы вается обозначениями сиг-
налов, отражаю щ ими их ф ункциональное назначение
в процессе параллельного программирования, а не
по обозначениям выводов. Выводы, не указанны е в
табл. 37, имеют обычные обозначения.
Биты Х А 1/Х А 0 определяют действие, запускаемое
по положительному импульсу на X TA L1. Установки би-
тов представлены в табл. 38.
При поступлении импульсов W R или О Е загружен-
ная команда определяет действие на входе или выхо-
де. Команда является байтом, в котором каждый бит
определяет функцию, как это отражено в табл. 39.
Установка режима программирования
Для установки микроконтроллера в режим парал-
лельного программирования используется следующий
алгоритм:
1. Подать напряжение 4,5.
..5,5 В между выводами
V cc и G N D .
2. Установить на выводах R E S E T и BS низкий уро-
вень и ожидать не менее 100 нс.
3. П о дать н ап р я ж ен и е 1 1 ,5 .
..1 2 ,5 В на вывод
RESET. Состояние вывода BS1 в течение 100 нс пос-
ле подачи напряжения +12 В меняться не должно, ина-
че режим программирования установлен не будет.
Очистка кристалла
О п ер ац и я очистки кристалла оч и щ ает Flash и
E E P R O M память и биты блокирования. Биты блокиро-
вания не сбрасываются до тех пор, пока память про-
грамм не будет полностью очищена. Состояние битов-
предохранителей при очистке кристалла остаются не-
изменным. О чистка кристалла должна выполняться
перед программированием Flash памяти.
Загрузка команды очистки кристалла (Chip Erase):
1. Установить биты ХА1 и Х А 0 в состояние 1 и 0.
Э та установка разреш ает загрузку команды.
2. Установить бит BS1 в состояние 0.
3. Установить биты РВ(7 - 0) в состояние 1000 0000.
Это команда очистки кристалла.
4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.
Этим импульсом загружается команда и запускается
процедура очистки матриц Flash и E E P R O M памяти. Пос-
ле подачи импульса на XTAL1 на W R подается отрица-
тельный импульс, чтобы обеспечить в конце цикла сти-
рания памяти стирание бита блокировки, и ожидать по
крайней мере 10 мс. Процедура очистки кристалла не
приводит к какой-либо активности вывода RDY/BSY.
Программирование Flash памяти
Flash память микроконтроллеров A Tm ega603/103
организован из 256/512 страниц по 256 байт каждая.
При программировании Flash памяти данны е програм-
мы фиксируются в буф ере страницы, что позволяет
единоврем енно програм м ировать целую страницу.
Ниже приведена процедура, описывающая програм-
мирование всего объема Flash памяти.
А : З а г р у з к а к о м а н д ы п р о г р а м м и р о в а н и я F la s h п а -
м я т и ( P r o g r a m F la s h )
1. Установить биты ХА1 и Х А 0 в состояние 1 и 0
соответственно. Э та установка разреш ает загрузку
команды .
2. Установить бит BS1 в состояние 0.
3. Установить биты РВ(7 - 0) в состояние 0001 0000.
Э то команда программирования Flash памяти.
4. Подать на вывод XTAL1 положительный импульс.
Этим импульсом загружается команда.
12/2003
43
предыдущая страница 44 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн следующая страница 46 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн Домой Выключить/включить текст