МИКРОКОНТРОЛЛЕРЫ
мо выполнить команду “Разрешить программирование”. При програм-
мировании E E P R O M в процессе самотактируемой операции програм-
мирования выполняется автоматическое стирание (только в режиме
последовательного программирования) и, следовательно, на требует-
ся выполнения команды очистки кристалла. О перация очистки крис-
талла устанавливает содержимое всех ячеек памяти и в памяти про-
грамм и в E E P R O M памяти в состояние $FF.
Матрицы памяти программ и E E P R O M памяти расположены в от-
дельных адресных пространствах:
А Т т е д а б О З :
с $0000 по $7FFF для памяти программ и с $0000 по
$07FF для E E P R O M памяти.
А Т т е д а Ю З :
с $0000 по $FFF F для памяти программ и с $0000 по
$0FFF для E E P R O M памяти.
Внешний системный тактовый сигнал подается на вывод XTAL1.
Кварцевый кристалл подсоединяется между выводами XTAL1 и XTAL2.
Минимальная длительность периодов высокого и низкого уровня на
входе последовательного тактового сигнала (SCK) должна быть:
Ь1изкий уровень - не менее 2 тактовых циклов XTAL1.
Высокий уровень - не менее 2 тактовых циклов XTA L1.
А л гори тм пр о гр ам м и р о в ани я по послед ов атель но м у каналу
Для программирования и проверки микроконтроллера А Т тед аЮ З /
L в последовательном режиме рекомендуется следующий алгоритм
(ф ормат 4-байтовых команд см. в табл. 40):
1. Выполнить последовательность включения питания:
Подать на выводы V C C и G N D напряжение питания, причем вы-
воды R E S E T и SC K во время подачи питания должны быть на уровне
0. Если к выводам XTAL1 и XTAL2 не подсоединен кварцевый крис-
талл, то тактовый сигнал подается на вывод XTAL1. В ряде систем
программирующий не может гарантировать нахождение вывода SC K
на низком уровне в течение всего периода подачи питания. В этом
случае на вывод R E S E T должен быть подан положительный импульс
длительностью не менее двух циклов XTAL1 после того, как на SC K
будет установлен уровень 0.
2. Сделать выдержку не менее 20 мс и разрешить программиро-
вание в последовательном режиме посылкой на вывод Р Е 0 (PDi/FîXD)
последовательной команды “Разрешить программирование”.
3. При выдаче третьего байта команды “Разрешить программиро-
вание" значение, установленное как вторым байтом ($53), будет воз-
вращено в течение передачи третьего байта. Если значение $53 не
будет возвращено, необходимо подать на вывод S C K положительный
импульс и вновь послать команду “Разрешить программирование”. Если
возврат значения $53 не будет получен в течение 32 попыток, то связь
устанавливалась с неработаю щим устройством.
4. Если была выполнена очистка кристалла (выполняется, если
необходимо очистить Flash память), делается выдержка 10 мс, пода-
ется положительный импульс на вывод R E S E T и начинается выпол-
нение алгоритма с пункта 2.
5. Flash память программируется сразу по одной странице. Стра-
ница загружается по одному байту подачей 7 младших битов адреса и
байта данных вместе с командой “Загрузить страницу памяти про-
грамм”. Страница памяти программ сохраняется загрузкой команды
“Записать страницу памяти программ” вместе с 9 старшими битами
адреса.
6. М атрица E E P R O M программируется по одному байту загрузкой
адреса и данных вместе с с соответствующей командой “Записать”.
Соответствующие ячейки памяти E E P R O M , перед записью новых дан-
ных, автоматически очищаются. Следующий байт может быть запи-
сан через 4 мс (при напряжении питания 2,7 В) или через 1 мс (при
напряжении питания 5,0 В).
7. Любой байт в области памяти может быть проверен командой
“Читать”, которая возвращает содержимое по заданному адресу че-
рез последовательный выход вывода P E 1(P D O /TX D ).
8. По полном заверш ении сеанса программирования, для перехо-
да к нормальной работе, вывод R E S E T должен быть установлен на
высокий уровень.
9. Выполнить последовательность отключения питания (при необ-
ходимости). Установить низкий уровень на выводе XTAL1 (если не ис-
пользовался кварцевый кристалл). Установить высокий уровень на
выводе RESET. Отключить напряжение питания V cc.
Система команд программирования в последовательном режиме
приведена в табл. 40.
П р и м е ч а н и я к т а б л . 4 0 :
а = старш ие биты адреса;
b = младш ие биты адреса;
FI = 0 - младший байт, 1 - старший байт;
0 = выход данных;
1
= вход данных;
X = состояние значения не имеет;
1 = бит блокировки 1 ;
2 = бит блокировки 2;
3 = бит-предохранитель SUT0;
4 = бит-предохранитель SUT1;
5 = бит-предохранитель SPIEN;
6 = бит-предохранитель EESAVE.
При последовательной записи в микроконтроллеры АТтедабОЗ/
103 данные м икроконтроллером АТтеда 103 выбираются по нараста-
ющ ему фронту на SCK.
При последовательном чтении данны х из микроконтроллеров
A Tm eg a603/103 данны е тактируются по падаю щ ему ф ронту H aSC K .
Х арактер исти ки по постоянном у току
Характеристики по постоянному току приведены в табл. 41.
П р и м е ч а н и я к т а б л 4 1 :
1. Т А = о т-4 0 °С до 85°С , V cc = от 2,7 В до 6,0 В (если не оговорено
другое).
2. В установившемся режиме (не в переходном) значения IOL дол-
жны внешними средствами ограничиваться на уровне:
Максимальный IOL на каждом выводе порта - 10 мА;
М аксим альны й IO L по всем выводам выхода - 3 0 0 мА;
Порт А - 26 мА;
Порты А, В, D - 15 мА.
В случае превы ш ения тестовы х величин IO L величина V O L
м ож ет превысить соответствую щ ие значения.
Табл. 41
О б о зн а ч е н и е
П а р а м ет р
У с л о в и я
М и н
Т нп
М а к с
Е д и н и ц а
и з м е р е н и я
V IL
В х о д н о е н а п р я ж е н и е н и з к о г о у р о в н я
-0,5
0,3 V c c
в
V IL I
В х о д н о е н а п р я ж е н и е н и з к о г о у р о в н я
X T A L
-0,5
0 ,2 V c c
В
V IH
В х о д н о е н а п р я ж е н и е в ы с о к о г о у р о в н я
И с к л ю ч а я (X T A L , R E SE T )
0 ,6 V c c
V c c + 0 ,5
В
V IH I
В х о д н о е н а п р я ж е н и е в ы с о к о г о у р о в н я
X T A L
0 ,8 V c c
V c c + 0 ,5
В
V IH 2
В х о д н о е н а п р я ж е н и е в ы с о к о г о у р о в н я
R E S E T
V c c
V c c + 0 ,5
В
V O L
В ы х о д н о е н а п р я ж е н и е н и з к о г о у р о в н я (!}.
П о р т ы А, В, С , D
I O L = 2 0 мА, V cc = 5 В
0,6
в
I O L = I0 м А , V c c = 3 В
0,5
V O H
В ы х о д н о е н а п р я ж е н и е в ы с о к о г о у р о в н я .
П о р т ы А, В, С . D
Ю Н = -3 м А , V c c = 5 В
4,2
В
Ю Н = -3 ,5 м А , V c c = З В
2,3
HL
В х о д н о й т о к у т е ч к и в ы в о д а I /O
V c c = 6 В, н и з к и й у р о в е н ь
-8
8
мк.А
UH
В х о д н о й т о к у т е ч к и в ы в о д а I /O
V c c = 6 В, в ы с о к и й у р о в е н ь
-8
8
м к А
R R ST
Н а г р у з о ч н ы й р е з и с т о р с б р о с а
100
5 0 0
к О м
R I/O
Н а г р у з о ч н ы й р е з и с т о р I /O
3 5
120
к О м
IC C
П о т р е б л я е м ы й т о к в р е ж и м а х :
.А к ти в н ы й , 4 М Г ц , V c c = 3 В(2)
3
м.А
Id le , 4 М Г ц , V c c = 3 В
І
3,2
м А
P o w e r D o w n , 4 М Г ц , V c c = 3 В, W D T р а з р е ш е н
8,5
15
мк.А
P o w e r D o w n , 4 М Г ц , V c c = 3 В, W D T з а п р е щ е н
<
І
2
м к А
V A C IO
Н а п р я ж е н и е с м е щ е н и я в х о д а а н а л о г о в о г о к о м п а р а т о р а
V c c = 5 В
4 0
мВ
IA C L K
У т е ч к а п о в х о д у а н а л о г о в о г о к о м п а р а т о р а
V c c - 5 В, V IN “ V с с / 2
-5 0
5 0
нА
tA C P D
З а д е р ж к а а н а л о г о в о г о к о м п а р а т о р а
V c c - 2,7 В,
7 5 0
нс
V c c = 4 ,0 В
5 0 0
46
12/2003
предыдущая страница 47 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн следующая страница 49 Радиолюбитель 2003-12 читать онлайн Домой Выключить/включить текст