ПРИЕМНИКИ
[
на
рис. 1
(согласно
[1]).
Интересно от-
метить, что подобная схема обсужда-
лась намного ранее в [5].
Однако в связи с тем, что в [1] и [5]
ничего не сказано о том, как все же
работает данная схема \даже в самых
общих чертах), автору пришлось вы-
полнить простейший качественный ана-
лиз работы данной схемы с использо-
ванием в том числе и некоторых сведе-
ний, приведенных в [6].
Как оказалось, отрицательная об-
ратная связь (ООС) реализуется в уси-
лителе через ШПТ L1 (через обмотки
L ia и L1b), и линеаризует (не полнос-
тью, но в значительной степени) вход-
ную, экспоненциальную по виду, харак-
теристику транзистора. Данная ООС
увеличивает входное сопротивление
транзистора по ВЧ, и, возможно, не-
сколько уменьшает его выходное со-
противление. Очевидно, что входное
сопротивление всего усилителя по ВЧ
при этом также возрастает.
Особо следует выделить следую-
щие аспекты работы усилителя, кото-
рые в литературе не освещались
1. Поскольку ООС (см.
рис. 1)
охва-
тывает только эмиттер транзистора и
не подведена к его входному электро-
ду (в данном случае к базе транзисто-
ра), эта ООС, естественно, не присут-
ствует и между входом и выходом уси-
лителя, тогда как в усилителе автора
[3] ООС присутствует именно между
входом и выходом усилителя.
В этой связи можно ожидать доста-
точно высокой развязки по ВЧ между
входом и выходом рассматриваемого
усилителя (в усилителе [3] такой раз-
вязки практически нет). Поэтому уси-
литель
(рис. 1)
должен обладать дос-
таточно хорошими буферирующими по
ВЧ свойствами.
2. Однако, при всех достоинствах
высокого входного сопротивления тран-
зистора (а, значит, и усилителя в це-
лом), такое его свойство приводит и к
определенным недостаткам. Так, при
высоком входном сопротивлении тран-
зистора (напомним, что рассматрива-
ется схема с ОЭ) значительно возрас-
тает вредное влияние динамической
емкости “коллектор/база” транзистора
на линейность проходной характерис-
тики “вход/выход” транзистора (в дан-
ном случае “сигнал на базе/сигнал на
коллекторе” транзистора).
Поэтому, соответственно, ухудша-
ется и линейность амплитудной харак-
теристики всего усилителя в целом (на-
пример, возрастает интермодуляция).
В таком усилителе в какой-то мере
устранять вредное влияние динамичес-
кой емкости транзистора на линейность
амплитудной характеристики усилите-
ля возможно путем параллельного
включения по входу усилителя резис-
тора с сопротивлением около 50 Ом.
Приведенный выше элементарный ана-
лиз характера работы усилителя по ВЧ
позволил в дальнейшем наилучшим
образом использовать такой усилитель
при построении линейного ВЧ тракта
приемника (или трансивера) с высоки-
ми значениями ДЦ.
Как известно, в настоящее время в
качестве УПЧ в сверхдинамичной связ-
ной аппаратуре обычно используют
усилителе под номером “А” По класси-
фикации Э. Реда [1].
В данной работе исследовалась
целесообразность применения в каче-
стве УПЧ сверхдииамичного трансиве-
ра (приемника) усилителя под номером
“В" (согласно [1]).
Возможность и целесообразность
применения усилителя “В” было рас-
смотрено, исходя из следующего.
1 Поскольку усилитель под номе-
ром “В" применялся ранее какУРЧ (на
пример, в конструкциях ЦГгВЛО, то, по-
видимому, его можно использовать и в
качестве УПЧ в сверхдинамичном по
схемотехнике трансивере (с использо-
ванием, например, в качестве ФОС
восьмикристального фильтра, и смеси-
теля по типу [4]).
2.
Усилитель имеет по ВЧ достаточ-
но большое входное сопротивление
(порядка от килоома до нескольких ки-
лоом) и весьма низкое выходное со-
противление (несколько Ом) в отсут-
ствие резистора
142
(см.
рис.1).
Такое
сочетание сопротивлений усилителя по
ВЧ с высокой степенью развязки его
входа и выхода позволяет по предло-
жению автора использовать такой уси-
литель одновременно и как диплексер
пассивного двойного балансного сме-
сителя со сверхвысокой динамикой, и
как каскад УПЧ [7].
Таким образом, легко достигается
такая функциональная гибридизация,
как 50/50-омный диплексер-усилитель!
Действительно, включив парал-
лельно высокоомному входу данного
усилителя безындукционный резистор
с сопротивлением около 50 Ом, мы по-
лучаем и достаточно широкополосный
(50 Ом/50 Ом) усилитель, и очень ши-
рокополосный 50-омный диплексер.
При этом включение 50-омного ре-
зистора на входе также должно сни-
жать нелинейность такого усилителя.
3.
Динамический диапазон, и, в ча-
стности, ДД по интермодупяции тре-
тьего порядка 0Я1ММ, отсчитанный от
“шумовой дорожки” данного усилите-
ля “В”, весьма большой (т.е. усилитель
сверхдинамичный) по следующим при-
чинам. Во-первых, этот усилитель ма-
лошумящий, и, во-вторых, он имеет
точку перехвата третьего порядка
|Р|мозоит около +45 дБм (данные приве-
дены для усилителя автора, имеющего
Ки » Кр я +10 дЬ
И Я|м » Яоит я 50 Ом).
При этом ток коллектора транзис-
тора составляет около 50 мА, а напря-
жение между его эмиттером и коллек-
тором - около 10 В. Собственно, при
этом мощность постоянного тока, рас-
сеиваемая на транзисторе (тепловая
мощность, рассеиваемая на транзисто-
ре в отсутствие сигнала) составляет
около +28 дБм.*
~
*
П римечание.
В расчетах было уч-
тено падение напряжения на соответ-
ствующих резисторах усилителя. ДАя
расчетов использовались данные,
-------------------1
51
Радиолюбитель - 0 3 /2 0 0 5 |
предыдущая страница 52 Радиолюбитель 2005-03 читать онлайн следующая страница 54 Радиолюбитель 2005-03 читать онлайн Домой Выключить/включить текст