i
с п р а в о ч н ы й
м а т е р и а л
t
Наименование
CTR при
1р >10 мА (%)
со
f
S
СО
ё
СО
$
>
I
sf
1
мин I макс
Вход: GaAs диод; выход: фототранзистор с отключенной базой
CIWB2
40
-
50
7
0,4
-
5,9
CNWB4
63
320
ВО
7
0,4
-
5,9
CNXB2A
40
-
50
7
0,4
-
5,3
CNY17F-1
40
ВО
70
7
0.4
10/10
5,3
CNY17F-2
63
125
70
7
0,4
10/10
5,3
CNY17F-3
100
200
70
7
0,4
10/10
5,3
CNY17F-4
1В0
320
70
7
0,4
10/10
5,3
CNY17GF-1
40
ВО
70
7
0.3
10/10
5,3
Наименование
CTR при
1р>10 мА(%)
СО
X
К
£
СО
СО
>
I
<7Г
1
мин I макс
Вход: GaAs диод; выход: фототранзистор с отключенной базой
CNY17GF-2
вз
125
70
7
0,3
10/10
5,3
CNY17GF-3
100
200
70
7
0,3
10/10
5.3
CNY17GF-4
160
320
70
7
0,3
10/10
5,3
МОС8111
20
-
30
7
0,4
10/10
5,3
МОСВ112
50
-
30
7
0,4
10/10
5,3
МОСВ113
100
-
30
7
0,4
10/10
5,3
SL55B2
40
320
50
7
0,4
20/50
5,3
SL55B2W
40
320
50
7
0,4
20/50
5,9
Оптопары в 8-выводном корпусе
Наименование
<
2
JL
СО
£
3
*
>
со
о
и
К
>
jj
ч
3
о
2
2
1
j
1
1
*1
1
>
Вход: GaAsP диод;
выход: составной фототранзистор с высоким коэффициентом усиления
BN13B
1,6
0,4
7
+1/-1
250
10/35
2,5
6N139
0,5
0,4
+1/-1
100
1/7
2,5
CNW13B
1,6
0,4
7
+0,5/-0,5
250
10/35
5,0
CNW139
0,5
0,4
+0.5/-0.5
100
1/7
5,0
Вход: GaAsP диод;
выход: быстродействующий фототранзистор 1 Мбит/с (два канала)
HCPL-2530
16
0,5
30
1/-1
0,5
1,5/1,5
2,5
HCPL-2531
0,5
30
1/-1
0.5
0,8/0. В
2,5
Вход: GaAsP диод; выход: составной фототранзистор (два канала)
HCPL-2730
1,6
0,4
7
1/-1
100
20/35
2,5
HCPL-2731
0,5
0,4
1/-1
100
2/10
2,5
Вход: GaAsP диод;
выход*
быстродействующий логический элемент 10 Мбит/с (два канала)
HCPL-2630
5
0,В
7
-
250
0,075/0,075
2,5
HCPL-2631
5
о.в
7
1/-1
250
0,075/0,075
2,5
вход;
GaAsP диод; выход: быстродействующий логический элемент 10 Мбит/с
BN137
5
О.В
7,
-
250
0,075/0,075
2,5
HCPL-2601
5
О.в
7
1/1
250
0,075/0,075
2,5
HCPL-2611
5
о.в
7
3,5/3,5
250
0,075/0,075
2,5
Краткие справочные данные зарубежных оптопар
1
. CTR (current transfer ratio): отношение тока коллектора к току диода 1Д -
коэффициент передами.
2. IF: прямой ток через диод.
3. BVCEQ
: напряжение пробоя коллектор-эмиттер при открытом коллекторе.
4. BVCBO
: напряжение пробоя коллектор-база при открытом эмиттере.
5. BVEC0: напряжение пробоя эмиттер-коллектор при открытой базе.
6. VCE(U
I): напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
7. t^yt^: время включения/время выключения.
8. V^: переменное среднеквадратичное напряжение изоляции
(в течение 1 с).
9. !„: прямой ток диода (I.), необходимый для изменения выходного
состояния ключа
10. V^: напряжение логического “0”.
11. V^: напряжение питания.
12. CMH;CML: время нарастания/спада выходного напряжения
13.1^: выходной ток логической “1 ”.
14. tp^/t^: время задержки при переходе с логической “Г на логический “О".
15.1^: ток потребления от источника питания при логическом “О".
16.1н: ток удержания.
17. lFr(OFF)/l„(ON): гистерезис.
18. VNH: напряжение удержания.
Наименование
<
2
0
1
со
>
СО
о
и
а
2
2
2
£
5
2
2
£
к
j
I
1
<7?
I
5
вход;
GaAsP диод; выход: быстродействующий фототранзистор 1 Мбит/с
BN135
16
0,4
15
0,5
40
1,5/1,5
2,5
6N13B
16
0,4
15
0.5
40
0,8/0,В
2,5
CNW135
16
0,4
30
0,5
200
1,5/1,5
5,0
CNW13B
16
0,4
30
0,5
200
0,8/0, В
5,0
CNW4502
0,4
30
0,5
200
0,8/0,В
5,0
HCPL-2503
16
0,4
15
0,5
40
0,8/0, В
2,5
HCPL-4502
16
0,4
15
0,5
40
0,8/0, В
2,5
Наименование
CTR при
1р>10 мА (%)
со
I
i
СО
£
СО
\
>
}
I
мин I макс
вход;
GaAs диод; выход: фототранзистор (два канала)
мств
20
30
6
0,4
-
2,5
МСТ61
50
-
30
в
0,4
-
2,5
МСТ62
100
30
6
0,4
-
2,5
МСТ9001
50
600
55
7
0,4
-
2,5
PS2501-2
ВО
600
80
-
-
3,5
5,0
PS2511-2
100
300
40
-
-
3,5
5,0
PS2561-2
во
400
50
-
-
3,5
5,0
PS2701-2
50
300
ВО
-
-
3,5
3,75
Наименование
%
1
S
5
I
СО
о"
и
к
>
СО
1
I
>
СО
1
1
>
1
i
<s
$
\
>
Вход: GaAs АС диод; выход: логический элемент
MID400
4
0,15
7
90
5,5
100
2,25
По мот «риалам http://www.lrit.ipb.ru/
---------------------------------
1
67
Радиолюбитель - 0 4 /2 0 0 6 |
предыдущая страница 67 Радиолюбитель 2006-04 читать онлайн следующая страница 69 Радиолюбитель 2006-04 читать онлайн Домой Выключить/включить текст