\
ГОРИЗОНТЫ ТЕХНИКИ
I
Доктор Йошитака Таниясу (Yoshitaka Taniyasu) и его коллеги из исследо-
вательской лаборатории Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT) со-
здали диод на основе нитрида алюминия, который излучает свет в ультрафио-
летовом диапазоне с длиной волны 210 нм.
Принцип работы светоизлучающих диодов (LED) основан на р-п переходе
между двумя типами полупроводников: полупроводника п-тила, в котором ток
переносится электронами, и полупроводника p-типа, в котором ток переносит-
ся положительно заряженными дырками. При прохождении электрического
Фка через р-п переход электроны и дырки рекомбинируют, излучая сеет. Вслед
за сине-залеными светодисдами на основе нитридов алюминия, индия й гал-
лия в начале 1990-х годов появились светодиоды трех основных цветов - крас-
ного, зеленого и синего, - которые нашли широкое применение в производ-
стве дисплеев и осветительной аппаратуры. Большой вклад в области усо-
вершенствования светоизлучающих диодов внесли советские ученые, в том
числе нобелевский лауреат Ж.И. Алферов.
Светодиоды, основанные на нитриде индия-галлия, излучают свет в види-
мом диапазоне, а диоды на основе нитрида алюминия-галлия и нитрида алю-
миния излучают в ультрафиолетовом диапазоне. Однако при увеличении ко-
личества алюминия в сплаве затрудняется процесс легирования материала.
Легирование необходимо для улучшения электронных свойств полупроводни-
ковых материалов, при этом происходит увеличение количества носителей
зардда. Сам посебе нитрид алюминия также трудно легировать, поскольку он
имеет самую широкую среди полупроводников запрещенную зону - 6 эВ - и,
по существу, яаляется диэлектриком.
Д-р Таниясу и его коллеги преодолели эту проблему, несколько изменив
стандартные условия производства этого соединения. Нигридалюминия обыч-
но содержит много кристаллических дефектов и большое количество приме-
сей. С помощью нового метода можно получать нитрид алюминия очень высо-
кого качества, в котором примеси п- и p-типа строго контролируются. Тем са-
мым достигается проводимость п- и p-слоев, достаточная для того, чтобы элек-
троны и дырки могли рекомбинировать, излучая свет.
Новый светодиод имеет многослойную структуру - слой нелегированно-
го нитрида алюминия помещен между слоями полупроводников п- и р-типа.
Когда через эту структуру проходит электрический ток, она производит ульт-
рафиолетовое излучение с длиной волны 210 нм. “Прибор может быть исполь-
зован для биомедицинских исследований и очистки воды, - комментирует д-р
Таниясу. - Кроме того, легкие источники коротковолнового излучения требу-
ются для улучшения разрешения в фотолитографии и химического анализа
среды на предмет содержания токсичных веществ".
Опубликован рейтинг излучения мобильников
http//www.c-newsju,newsAop/mdexshtml?2006/OS/24/202113
Составлена новая топ-десятка мобильных талефонов с самым высоким
уровнем излучения: таковы результаты тестирования, проведенного амери-
канской ассоциацией CTIA (Cellular Telecommunications Industry Association) в
мае этого года. Однако здоровью пользователей ничего не угрожает, утверж-
дают эксперты: излучение мобильников находится в допустимых пределах.
Верхние восемь строк топ-десятки занимают телефоны Motorola. Стоит
заметить, однако, что, по словам ученых, угрозы для здоровья пользователей
ни одна из протестированных трубок не представляет: уровень излучений всех
моделей не превышает допустимых норм, принятых в США и Европе. Все зна-
чения SAR находятся в пределах от 1,51 до 1,58 Вг/кг.
Напомним, что измеряемый в SAR (Specific Absorption Rates - удельный
коэффициент поглощения) уровень излучения определяет энергию электро-
магнитного поля, выделяющуюся в тканях тела за одну секунду. Единицей из-
мерения SAR яапяегся ватт на килограмм. В Европе допустимое значение из-
лучения составляет 2 Вг/кг. В США ограничения более жесткие: федеральная
комиссия по связи (FCC) сертифицирует только те сотовые аппараты, SAR
которых не превышает 1,6 Вт/кг. В России своя система измерения излучае-
мой мощности - в ваттах на квадратный сантиметр.
Согласно тому же исследованию CTIA, в списке из самых безопасных для
организма мобильных телефонов лидирует телефон марки Audiovox РРС66001
с уровнем излучения 0,12 SAR. Далее следуют две модели Motorola МРХ200 и
Motorola Timeport L7089 со значениями 0,2 и 0,22 SAR соответственно. Замы-
кает список Siemens S40, который излучает 0,33 SAR.
“Самое высокое излучение
I
Модель.
...............................
SAR
Motorola SlvrL6.
................
1,58
Motorola V120c.
.................
1,55
Motorola V70 .
.....................
1,54
Motorola C290 .
...................
1,53
Motorola P8767.
.................
1,53
Motorola ST7868 .
..............
1,53
Motorola ST7868W.
.............
1,53
Motorola A845 .
...................
1,51
Palm Tteo 650 GSM.
.........
1,51
Panasonic Allure.
...............
1,51
“Самое низкое излучениеf
Модель.
...............................
SAR
Audiovox PPC66001 .
.........
0,12
Motorola MPx200.
..................
0,2
Motorola Timeport L7089.
... 0,22
Qualcomm pdQ-1900.
........
0,263
T-Mobile Sidekick.
..............
0,276
Samsung SGI-I-S100.
.........
0,296
Samsung SGH-S105.
.........
0,296
Sony Ericsson Z 600.
............
0,31
Mitsubishi G 360.
..................
0,32
Siemens S 4 0 .
.......................
0,33
Новый магнитный полупроводник: прорыв в электронике
Ученые из Массачусетского технологического Института разрабо-
тали новый магнитный полупроводник, который может значительно улуч-
шить рабочие параметры электронных приборов, при этом существенно
уменьшается их энергопотребление, сообщает EurekAlert.
Создание нового материала является важным событием в области
так называемой спинтроники - электроники, использующей состояние
спина электрона для переноса, обработки и накопления информации. В
обычных электронных схемах используется только заряд электрона, но
у этой частицы имеется также направление спина.
В таких приборах как лаптоп и IPod уже применяется спинтроника
для накопления информации на магнитных жестких дисках очень боль-
шой емкости. Но использование спина для обработки информации в элек-
тронных схемах станет прорывом в области компьютерной техники. “Мы
можем переносить информацию сразу двумя способами, и это даст нам
возможность дальнейшего уменьшения размеров электронных схем", -
поясняет руководитель исследований доктор Ягадиш Моодера
(Jagadeesh Moodera).
Магнитный полупроводящий материал, изготовленный группой д-ра
Моодера, представляет собой оксид индия с добавлением небольшого
количества хрома. Он помещается сверху на обычный кремниевый по-
лупроводник и инжектирует в него электроны с определенной ориен-
тацией спина. Спин-поляризованные электроны затем двигаются че-
рез полупроводник и считываются спиновым детектором на другом
конце схемы.
По словам ученых, их главным достижением является обнаружение
зависимости магнитных свойств материала от дефектов или вакансий в
атомной кристаллической решетке. Это дало возможность ученым из-
менять магнитные свойства материала, контролируя количество дефек-
тов на атомном уровне.
Возможность материала инжектировать электроны с определенным
спином при комнатной температуре и его совместимость с кремнием
делают его особенно привлекательным для использования в электрон-
ных приборах. Кроме того, благодаря оптической прозрачности он мо-
жет применяться в солнечных батареях и сенсорных панелях.
Спинтроника может уменьшать энергопотребление информацион-
ных приборов, поскольку спиновые состояния являются энергонезави-
симыми, т.е. могут сохранять информацию, даже когда питание отклю-
чено. “В таких системах мы можем передавать спиновую информацию,
не перемещая заряды", - комментирует д-р Моодера. С помощью мето-
дов спинтроники также можно будет создавать многофункциональные
приборы.
Создан самый быстрый полевой нанотранзистор
Исследователями из Гарвардского университета создан самый луч-
ший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун, сооб-
щает Nanotechweb. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра
и кремниевых нанострун. По мнению экспертов, это самый совершен-
ный полевой транзистор, который когда-либо был создан.
“Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзис-
тор) быстрее в 3-4 раза, чем современные кремниевые CMOS, - ком-
ментирует открытие доктор Чарльз Либер (Charles Lieber). - Также наш
нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с
обычными плоскими полевыми FET. Мы надеемся, что вскоре в микро-
электронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств - нано-
струнный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в
основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследова-
ниям в области наноэлектроники".
Д-р Либер и его коллеги создали структуру “ядро-нити” в Ge/Si-на-
ноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобиль-
ностью носителей зарядов. Как было установлено, время переключения
нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзис-
тора из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных
MOSFET-устройств.
Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован про-
изводителями чипов для дальнейшего использования в скоростной ло-
гике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS-технология
уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использова-
ния в микропроцессорах будущего. Также д-р Либер уточнил, что нанот-
ранзистор технологически совместим с логическими схемами на про-
зрачных и гибких основах - пластике, органических пленках и т.п.
Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзис-
тора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схе-
мах. Д-р Либер и его команда разрабатывают технологию массового про-
изводства подобных устройств.
1
5
Радиолюбитель - 06/20061
предыдущая страница 5 Радиолюбитель 2006-06 читать онлайн следующая страница 7 Радиолюбитель 2006-06 читать онлайн Домой Выключить/включить текст