i
ГОРИЗОНТЫ ТЕХНИКИ
I
Intel разрабатывает первый в мира гибридный кремниевый лазер
httpMvww.cnewsfu'news/linaMex^html?200G/09'1£/211330
Ученые корпорации Intel и КвлИфорнийского университета в Санта-Бар-
баре разработали первый в мире гибридный кремниевый лазер, работаю-
щий на базе обычного электрического напряжения, и для изготовления ко-
торого использовались стандартные для кремниевых микросхем производ-
ственные Процессы. Это революционное достижение позволит устранить
одну из основных преград на пути создания недорогих устройств на базе
кремниевой фотоники, обладающих высокой пропускной способностью.
Такие устройства смогут обеспечить эффективные внутренние и внешние
соединения, которые будут использоввться при создании компьютеров и
центров обработки данных будущего.
Исследователи смогли объединить светоизлучающие способности фос-
фида индия со способностью кремния проводить свет и создать единый
гибридный кристалл. При приложении напряжения свет генерируется эле-
ментами из фосфида индия и передается по кремниевому волноводу, об-
разуя непрерывный лвзерный луч. Затем его можно применять для управ-
ления другими устройствами на базе кремниевой фотоники. Кремниевые
лазеры будут способствовать широкому распространению кремниевой
фотоники в компьютерах будущего, поскольку эта Технология позволяет
значительно снизить себестоимость за счет использования стандартных
производственных процессов, применяемых в современной полупровод-
никовой индустрии.
Сегодня кремний широко используется в массовом производстве не-
дорогих электронных устройств, но он также способен проводить, реагиро-
вать на наличие светового излучения, модулировать и даже усиливать свет,
но не может эффективно излучать свет. В то же время лазеры на основе
фосфида индия сегодня широко применяются в телекоммуникационном обо-
рудовании. Но их индивидуальная сборка и настройка стоят дорого и со-
здают препятствия на пути организации недорогого серийного производ-
ства таких устройств для нужд индустрии ПК. Новаторская конструкция
гибридного кремниевого лазера включает материал на основе фосфида
индия для излучения и усиления светй, а также предполагает использова-
ние кремниевого волновода для передачи света и управления лазером.
Важнейший технологический прием при производстве таких устройств -
использование низкотемпературной кислородной плазмы (электрически
заряженного газообразного кислорода) для создания тонкой пленки окиси
(толщиной около 25 атомов) на поверхностях обоих материалов.
При нагревании и прижимании друг к другу двух материалов слой оки-
си выполняет функции “прозрачного клея’ , обеспечивая их сплавление в
единый кристалл. При приложении нвлряжения свет, излучаемый материа-
лом на основе фосфида индия, проходит через слой окиси и попадает в
кремниевый волновод, который может проводить свет и управлять им, об-
разуя гибридный кремниевый лазер. Конструкция волновода имеет очень
существенное значение для того, чтобы обеспечить необходимую произво-
дительность и длину волны такого лазера.
Эта разработка подкрепляется другими достижениями корпорации Intel
на пути выполнения ее долгосрочной исследовательской программы по со-
зданию устройств кремниевой фотоники с использованием стандартных
производственных процессов. В 2004 году исследователи корпорации Intel
впервые продамонстрировали кремниевый оптический модулятор с поло-
сой пропускания болве 1 ГГц, что в 50 раз превышало возможности преды-
дущих образцов кремниевых модуляторов. В 2005 году исследователи кор-
порации Intel также впервые продемонстрировали, что кремний может слу-
жить для усиления света при использовании внешних источников света.
Это позволило создать однокристальный лазер с постоянной длиной вол-
ны на основе “эффекта Рамана’ .
Органические полупроводники ждет блестящее будущее
Шр-//тм.спвч/5.г11/пе'г/зЛорАпс!ехзЫт1?2006/09/14/211068
Исследователи из Корнеллского университета в США продемонстри-
ровали новый тип органического полупроводникового устройства, которое
может служить и источником яркого света, и очень эффективным фотоэле-
ментом.
Такие свойства нового устройства обусловлены созданием т.н. “ион-
ного перехода’ (по аналогии с р-п переходом в обычных полупроводниках).
Все ранее известные полупроводники - органические или неорганические
- делятся на два типа: п-типа, где в материале есть избыток свободных
электронов, и р-типа, где существует дефицит электронов, или, соответ-
ственно, избыток “дырок’ - атомов в кристаллической решетке с положи-
тельным зарядом, р-п-переход лежит в основе всех современных полупро-
водниковых устройств - диодов, транзисторов и т.д. Органические полу-
проводники также могут содержать фрагменты с избытком или дефицитом
^
I
------------------------------------------------
заряда, но у них носителем положительного или отрицательного заряда
являются ионные формы органических молекул, составляющих полупро-
водник.
УЧеные наложили друг на друга два тонких слоя органического мате-
риела с положительными и отрицательными зарядами, а затем нанесли
слой из проводящего полимера сверху и снизу этого двуслойного материа-
ла. Верхний слой при этом прозрачен для оптического излучения. При кон-
такте двух органических полупроводников отрицательные ионы мигриру-
ют из одного из них в другой, как и положительные ионы в противополож-
ном направлении. Эта миграция продолжается до тех пор, пока не устано-
вится равновесие.
Этот процесс аналогичен тому, что происходит при миграции электро-
нов и дырок в обычном р-п переходе. В случае неорганического полупро-
водника разность потенциалов, прикладываемая к р-п переходу, вызывает
миграцию электронов в одном направлении и дырок - в противоположном.
Миграция ионного заряда в органическом полупроводнике приводит к воз-
никновению большей разности потенциалов, а она, в свою очередь, приво-
дит к тому, что при рекомбинации положительных и отрицательных ионов
возникают возбужденные молекулы, которые затем быстро теряют энер-
гию в виде оптического излучения.
Процесс может идти и в обратном направлении - если осветить ион-
ный контакт пучком света, в нем происходит отщепление электронов у мо-
лекул и образование положительных ионов. Наличие положительных ионов
определяет преимущественное нвправление даижения образовавшихся
свободных электронов, и, таким образом, возникает электрический ток.
Движение зарядов в одном направлении происходит без потенциаль-
ного барьера, в то время как а противоположном направлении ток практи-
чески не течет, поэтому на основе ионного перехода можно создавать вып-
рямительные схемы. Изменение конфигурации ионного заряда путем на-
ложения внешнего напряжения приведет к тому, что переход может стать
вместо проводника изолятором, и на этой основе можно создать элемент
памяти для компьютера.
Кроме всего прочего, органическим полупроводникам можно прида-
вать самые разные формы, делать из них гибкие рулонные мвтвриалы. Про-
изводство их недорого в сравнении с неорганическими материалами на
основе кремния, а для их получения могут быть использованы разнообраз-
ные исходные компоненты.
Samsung представил “всемирный” мобильник
httpJ/md.cnews.nVnewsf!op/indexshM?2006/Oa/13/210928
Южнокорейская компания Samsung Electronics представила новый мо-
бильный телефон “всемирного назначения", который способен обеспечить
связь буквально в любой точке земного шара.
Как заявили представители компании Samsung, благодаря коммуни-
кационным сетевым стандартам модель SCH-V920 позволяет пользовате-
лям свободно общаться болве чем в 90 странах Америки, Азии, Европы и
Океании.
Разработчики утверждают, что это первая модель мобильного теле-
фона, позволяющая ее владельцу свободно передвигаться по всему миру.
“Мобильный телефон Samsung работает как отдельный канал связи,
позволяющий людям свободно общаться в любой точке земного шара”, -
говорит глава и президент телекоммуникационного отделения компании
Samsung Ли Ки-Тэ (Lee Ki-Tae).
Новый телефон поддерживает два стандарта - СОМА и GSM. Также
аппарат подходит и для Японии, где распространен стандарт JCDMA. Сто-
имость телефона в Южной Корее составляет примерно 500тыс. вон ($520).
Стоит отметить, что в России связь в стандарте СОМА не распростра-
нена из-за лицензионных преград. Однако Мининформсвязи России обе-
щает начать выдачу лицензий на оказание услуг сотовой связи третьего
поколения (3G) до конца 2006 г. “Скай Линк’ планировал в сентябре 2006 г.
начать опытно-коммерческую эксплуатацию сетей на частотах 3G в Моск-
ве и Петербурге. Компания получила право на строительство опытной зоны
на частотах 2,1 ГГц в 2005 г.
HDTV осталось жить 25 лет
httpJ/ww.mewsnifræws/HM/indexst1tml?2006/09/12/210896
Японская компания NHK впервые в Европе продемонстрировала техно-
логию получения изображения с разрешением, в 16 раз превышающим HDTV.
Технология, названная разработчиком Ultra HDTV (U-HDTV), позволила полу-
чить на экране картинку с разрешением 7680 х4320 пикселей, сообщает ВВС.
По мнению специалистов NHK, до внедрения технологии ультравысо-
кой четкости в пользовательскую техн ику пройдет не менве 25 лет, так как
| Родиолюбитель - 10/2006
предыдущая страница 2 Радиолюбитель 2006-10 читать онлайн следующая страница 4 Радиолюбитель 2006-10 читать онлайн Домой Выключить/включить текст