-
-
-
-
.
.
.
-
-
-
-
-
-
\
ГОРИЗОНТЫ ТЕХНИКИ
I
Кремниевые нанопровода позволят уменьшить
размеры микрочипов
h ttp ://rn d .cn e w s.ru /n e w s/lin e /in d e x .s h tm l? 2 0 0 6 /1 2 /0 1/219394
Специалисты из института Макса Планка разработали техноло-
гию получения монокристаллических кремниевых нанопроводов, с по-
мощью которых можно добиться дальнейшего уменьшения размеров
микрочипов.
Ученым впервые удалось вырастить кремниевые нанопровода на
частицах алюминия. Такие нанопровода могут применяться для изго-
товления чипов, в отличие от нанопроводов, созданных на золотых
частицах, посокльку присутствие золота значительно ухудшает каче-
ство микроэлектронных приборов.
Алюминий, напротив, не оказывает вредного воздействия на свой-
ства чипов и часто используется при изготовлении полупроводнико-
вых приборов. Кроме того, использование алюминия в качес>ве ката-
лизатора позволяет создавать нанопровода при относительно низких
температурах - около 450°С.
Чтобы раскрошить алюминий на мелкие частицы, необходимые
для формирования таких тонких структур, ученые нагревали тонкую
пленку на кремниевой подложке, в результате чего пленка разрыва-
лась на мелкие кусочки. Затем они проводили известную процедуру
- распыляли на поверхности газообразный силан (соединение крем-
ния с водородом), где он превращался в кремний, взаимодействуя с
частицами катализатора. Частицы кремния поглощались алюминием,
и когда этот процесс достигал насыщения, происходила кристалли-
зация кремния. В результате образовывались монокристаллические
кремниевые нанопровода диаметром примерно 40 нанометров.
По слиьам участника исследования д-ра Стефана Сенза (Stephan
Senz), нанопровода представляют не только практический, но и фун-
даментальный интерес, т.к. в масштабах, сравнимых с размерами на-
нопроводов, уже могут проявляться квантовые эффекты.
Вихревые ядра:
новая технология ускорит запись информации
Ученые из института макса Планка открыли новый механизм, с
помощью которого, используя слабое магнитное поле, можно быстро
и без потерь менять направление крошечных магнитных структур -
так называемых вихреьых ядер. Этот метод может быть использован
для создания новых магнитных устройств хранения информации.
В небольших магнитных пластинах намагниченные области час-
то объединяются, образуя области с замкнутыми магнитными линия-
ми - вихри. Если поместить магнитную стрелку ''атомного размера” в
вихревое ядро, размер которого составляет всего около 20 атомов,
то она примет вертикальное положение, указывая вверх или вниз.
Вихревые ядра были теоретически предсказаны 40 лет назад, и
только 4 года назад они впервые были обнаружены эксперименталь-
но. С тех пор ученые ищут способ создания устройств хранения ин-
формации, основанных на этом явлении. Но для этого необходимо
сначала научиться управлять вихрями.
До недавнего времени ученые могли изменять ориентацию вих-
ревого ядра, только прикладывая к нему большое по величине внеш-
нее магнитное поле напряженностью около 0,5 Тесла.
Ученые из института Макса Планка совместно со своими колле-
гами из университета Гента, университета Регенсбурга и др
разра-
ботали способ изменения ориентации вихревых ядер с помощью ко-
ротких магнитных импульсов, напряженность которых в 300 раз мень-
J
ше напряженности постоянного магнитного поля, необхбдимого для
этих целей.
В Болгарии разработан новый тип датчиков
на основе эф ф екта Холла
В Институте управления и системных исследований Болгарской
академии наук (БАН) создана новая сенсорная технология “Трехкон-
тактные кремниевые датчики Холла с паралельной осыр магниточув-
ствительности”. В ее основе - открытый болгарским ученым Чавдаром
Руменином в 1983 году эффект Холла в параллельном магнитном поле.
Эффект проявляется во всех проводниках и полупроводниках.
По мнению болгарских разработчиков, датчики Холла с парал-
лельной осью магниточувствительности обладают рядом преимуществ
- высокой чувствительностью и низким уровнем собственных шумов,
* 1
-------------------------------
...от http://vvw w .gaa^»S . ги /
возможностью создания двумерных и трехмерных микродатчикиь, из-
меряющих независимо несколько компонентов магнитного поля, а
также высокой временной стабильностью параметров.
г
Появление нанотехнологических новинок на рынке
уже не за горами
h tip ://rn d .cn e w s.ru /n e w s/lin e /in d e x.sh tm l? 2 0 0 6 /1 2 /0 4 /2 2 6 8 9 0
Профессор Говард Вонг (Howard Wang) из университета Бингхэм-
птона (Binghamton University) заявил, что разработки его и коллег го-
товы к выходу на рынок.
Как сообщает Eureka Alert, Вонг работает над улучшением элект-
ронных чернил, состоящих из наноматериалов. Как говорят ученые,
разработки
е
этой
области позволят создавать плоские настенные дис-
плеи большого размера и “уМмую иДежду”, регулирующую температу-
ру тела.
Также учеными разработан сенсор, состоящий из массива нанс-
частиц, позволяющий определять в воздухе присутствие токсичных
химических соединений
И. наконец, ими же создано простое устрой-
ство, измеряющее уровень сахара в крови.
В январе 2006 г. Вонг приложил руку к организации компании
NanoMas, занимающейся коммерциализацией этих и upyi их исследо-
ваний, проведенных учеными. Говард Вонг является на сегодня вице-
президентом компании.
Основа практически всех изделий Вонга - наночастицы оксида
цинка, растворенные в жидкости. Их физико-химические свойства
делают наночастицы идеальными кандидатами для устройств отобра-
жения информации и сенсоров.
Как говорит Вонг, разработанные учеными продукты появятся на
рынке в 2008 году.
Память из нанонитей бьет рекорды
по скорости записи
h ttp ://rn d .cn e w s.ru /n e w s/lin e /m d e x.sh tm i7 2 0 0 6 /1 2 /0 6 /2 2 7 195
Ученые из университета Лунда, Швеция, разработали новый эле
мент памяти, сообщает Nanotechweb. Он представляв1* собой ряд “ос-
тровков” 3
соединенных между собой нанострунами, которые содер-
жат девять квантовых точек арсенида индия (InAs), разделенных тон-
ким слоем фосфида индия (1пР).
Диаметр нанонитей - 40.
..50 нанометров. Благодаря этому кван-
товые точки InAs размерами 17 нанометров, разделенные 3-4-нано-
метровым InP-ôap^epoM, удалось поместить внутри нитей. На их кон-
цах расположились 200-нанометровые отрезки InAs, соединенные с
70-нанометровыми участками lnP-барьеров. Эти наноструктуры, по
сути дела, являются простым нанотранзистором.
Устройство работает не только при комнатных температурах, но
и при достаточно низких -120°С. Время, необходимое на один цикл
записи, - 1 5 наносекунд.
Создан чип памяти на фазовых переходах
h ttp ://rn d .cn e w s.ru /n e w s/to p /in d e x.sh tm f7 2 0 0 6 /1 2 /1 2 /2 2 7 8 3 0
Флэш-память, которую сейчас можно встретить в огромном коли-
честве электронных устройств, в скором времени может уступить ме-
сто более компактной, быстродействующей и надежной памяти на ф а-
зовых переходах (PCRAM, Phase Change Random Access Memory).
В результате совместной работы исследователей компаний IBM,
тайваньской Macronix и германской Qimonda создан действующий про-
тотип PCRAM-памяти, сообщает Daily Tech.
Новые чипы будут энергонезависимыми (им не требуется внеш-
нее питание для сохранения информации), процесс записи информа-
ции потребует вдвое меньше энергии, они будут работать гораздо
быстрее (до 500 раз). Поперечный разрез ячейки имев1* размеры 3x20
нм, что намного меньше любого другого устройства флэш-памяти.
Память на фазовых переходах особенно перспективна для разнооб-
разных мобильных приложений.
У флэш-памяти есть oi раничения по числу записей - она стано-
вится ненадежной после 100 тыс. циклов. Для таких применений, как
карты памяти в цифровых устройствах, это может быть несуществен-
но, однако в оперативной памяти ПК или буферной памяти в сетевых
хранилищах это может стать серьезным недостатком. Есть у нынеш-
них чипов флэш-памяти и недостатки в части перспективы дальней-
шей миниатюризации.
I Радиолюбитель - 0 1 /2 0 0 7
предыдущая страница 2 Радиолюбитель 2007-01 читать онлайн следующая страница 4 Радиолюбитель 2007-01 читать онлайн Домой Выключить/включить текст